PMST-1000A-半导体分立器件静态测试仪

时间: 2024-02-26 01:30:59 |   作者: 产品类型

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  半导体分立器件静态测试仪认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，大范围的应用于大范围的应用于半导体测试行业； 本功率器件静态参数检测系统可以完成多项参数测试，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

  普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。

  普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法 灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件一直在变化的需求。

  普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统，最重要的包含测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，和相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不一样的电压、电流等参数，以满足多种测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

  测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，较大支持立即询价您留言后，厂商将第一时间为您服务！*留言标题：

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