联华电子请求 GaN 半导体器材专利提高器材功能

时间: 2025-01-26 19:55:57 |   作者: 产品类型

　　金融界 2024 年 12 月 12 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，联华电子股份有限公司请求一项名为“GaN 半导体器材”的专利，揭露号 CN 119108411 A，请求日期为 2023 年 6 月。

　　专利摘要显现，本发明揭露一种 GaN 半导体器材，包含：衬底；GaN 沟道层，设置于所述衬底上；AlGaN 层，设置于所述 GaN 沟道层上；p‑GaN 栅极层，设置于所述 AlGaN 层上；富氮 TiN 硬掩模层，设置于所述 p‑GaN 栅极层上，其间，所述富氮 TiN 硬掩模层的氮钛比(N/Ti)大于 1.0；以及栅电极层，设置于所述富氮 TiN 硬掩模层上。

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